Samsung MZ-V9S4T0, 4 TB, M.2, 7250 MB/s
Samsung MZ-V9S4T0. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7250 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC
Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.
Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.
Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.
Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.
Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.
Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.
Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.
Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.
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Samsung MZ-V9S4T0. Capacità SSD: 4 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7250 MB/s, Velocità di scrittura: 6300 MB/s, Componente per: PC
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Versatilità
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Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.
Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.
Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.
| Caratteristiche | |
| Capacità SSD | 4 TB |
| Dimensione SSD | M.2 |
| Interfaccia | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Sì |
| Tipo memoria | V-NAND TLC |
| Componente per | PC |
| criptaggio hardware | Sì |
| Versione di NVMe | 2.0 |
| Algoritmi di sicurezza supportati | 256-bit AES |
| Dimensioni dell'unità SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocità di lettura | 7250 MB/s |
| Velocità di scrittura | 6300 MB/s |
| Lettura casuale (4KB) | 1050000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Scrittura casuale (4KB) | 1400000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) |
| Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) | Sì |
| Supporto S.M.A.R.T. | Sì |
| Supporto TRIM | Sì |
| Tempo medio tra guasti (MTBF) | 1500000 h |
| Gestione energetica | |
| Tensione di esercizio | 3,3 V |
| Consumo di energia (in lettura) | 5,5 W |
| Consumo di energia (in scrittura) | 4,8 W |
| Consumo energetico (inattivo) | 0,06 W |
| Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) | 5 mW |
| Dimensioni e peso | |
| Larghezza | 80,2 mm |
| Profondità | 2,38 mm |
| Altezza | 80,2 mm |
| Peso | 9 g |
| Dati su imballaggio | |
| Larghezza imballo | 148 mm |
| Profondità imballo | 100 mm |
| Altezza imballo | 22 mm |
| Peso dell'imballo | 70 g |
| Condizioni ambientali | |
| Intervallo temperatura di funzionamento | 0 - 70 °C |
| Shock di funzionamento | 1500 G |
Fattore di forma
M.2
Interfaccia
PCI Express 4.0
Capacità
4000 GB
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