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HD SSD 500GB SAMSUNG 850 EVO M.2 3D V-NAND
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HD SSD 500GB SAMSUNG 850 EVO M.2 3D V-NAND
[S214043]

Produttore: Samsung
Codice Produttore: MZ-N5E500BW
EAN: 0887276074955

Prezzo: 136.86 [Iva Inc]
Costo spedizione: Spedizione gratuita Dettagli
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 Descrizione 
Samsung 850 EVO M.2 500GB, 500 GB, M.2, Serial ATA III, 540 MB/s, 6 Gbit/s

Samsung 850 EVO M.2 500GB. Capacit SSD: 500 GB. Fattore di forma dell'unit SSD: M.2. Interfaccia Solid State Drive (SSD): Serial ATA III, Velocit di lettura: 540 MB/s, Velocit di scrittura: 500 MB/s, Velocit di trasferimento dati: 6 Gbit/s

Che cos' la memoria 3D V-NAND e come si differenzia dalla tecnologia esistente?
L'esclusiva e innovativa architettura di memoria flash 3D V-NAND di Samsung un'assoluta novit che supera le limitazioni di densit, le prestazioni e la durata dell'attuale architettura planare della NAND tradizionale. La 3D V-NAND del 850 EVO prodotta impilando verticalmente 32 strati di celle uno sull'altro invece di ridurre le dimensioni delle celle e cercare di adattarle in uno spazio orizzontale; questo processo porta un miglioramento delle prestazioni a parit di spazio.

Ottimizza le operazioni quotidiane di calcolo con la tecnologia TurboWrite per velocit di lettura / scrittura senza rivali
Grazie alla tecnologia TurboWrite di Samsung ottieni prestazioni di lettura / scrittura imbattibili per massimizzare la tua esperienza quotidiana di calcolo. L'850EVO offre le prestazioni migliori della sua categoria nelle velocit di lettura (549 MB/s) e di scrittura (500 MB/s) sequenziale. **Scrittura random (QD32,120 GB): 36000 IOPS (840 EVO) > 89000 IOPS (850 EVO)

Con la modalit migliorata RAPID sei in pole position
Abilita la modalit Rapid dal Software Magician per raddoppiare la velocit di elaborazione dei dati; nfatti la modalit Rapid sfrutta la memoria Dram inutilizzata del PC come cache per aumentare le performance. Inoltre grazie alla nuova versione di Magician puoi Rapid utilizzer fino a 4 GB di DRAM (se il pc dotato di 16 GB di DRAM).

Durabilit e affidabilit garantite, supportate dalla tecnologia V-NAND 3D
Rispetto alla generazione precedente 840 EVO*, l'850 EVO offre durabilit e affidabilit garantite raddoppiando i TBW, con una garanzia di 5 anni leader nel mercato. L'850 EVO consente miglioramenti delle prestazioni fino al 30%**, dimostrandosi uno dei dispositivi per l'archiviazione pi affidabili al mondo.

Efficienza energetica grazie alla V-NAND 3D
L'850 EVO ha introdotto la modalit Sleep del dispositivo a 2mW e con la rivoluzionaria tecnologia 3D V-NAND (con consumi ridotti del 50% rispetto alla tecnologia planare 2D NAND), garantisce un incremento pari al 25% in termini di efficienza energetica nel corso delle operazioni di scrittura*.

Tanti formati per tutte le esigenze
Il nuovo 850 EVO ora compatibile con tutti i tuoi device: scopri il formato M.2, snello e sottile, con interfaccia SATA. E' perfetto per aumentare le prestazioni dei PC portatili ultra sottili.

Sicurezza e protezione dei dati
L'850 EVO dotato delle pi recenti tecnologie di crittografia basate su hardware. La tecnologia di crittografia AES 256 mette al sicuro i dati senza ridurre il livello delle prestazioni ed conforme a TCG Opal 2.0. Inoltre compatibile con l'e-drive IEEE1667 Microsoft in modo che i dati siano sempre protetti per la tua massima tranquillit.

Dynamic Thermal Guard
L'850 EVO include la protezione Dynamic Thermal Guard che tiene il tuo SSD al sicuro dal calore. La protezione Dynamic Thermal Guard controlla la temperatura di esercizio ottimale con una funzione che abbassa automaticamente la temperatura dell'SSD quando serve, proteggendo i tuoi dati e garantendoti la velocit di elaborazione che ti aspetti.

Passa a un livello superiore
In tre semplici mosse, il software One-stop Install Navigator di Samsung ti consente facilmente di migrare tutti i dati e le applicazioni dall'archiviazione primaria esistente all'850 EVO. Il software Magicial Samsung ti consente anche di ottimizzare e gestire il tuo sistema per il tuo SSD.

Sinergia dei componenti
Samsung l'unico marchio di SSD a progettare e produrre tutti i suoi componenti in-house consentendo la completa integrazione ottimizzata. Il risultato? Prestazioni incredibili, consumo energetico ridotto, memoria cache DRAM LPDDR2 fino a 1 GB ed efficienza energetica migliorata grazie al controller MEX / MGX
Prestazione
Capacit SSD500 GB
Interfaccia Solid State Drive (SSD)Serial ATA III
Velocit di lettura540 MB/s
Velocit di scrittura500 MB/s
Velocit di trasferimento dati6 Gbit/s
Lettura casuale (4KB)97000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB)89000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T.Si
Supporto TRIMSi
Scrittura sequenzialeSi
Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 h
Classificazione per TBW150
Design
Fattore di forma dell'unit SSDM.2
Gestione energetica
Tensione di esercizio5 V
Dettagli tecnici
Fattore di formaM.2 2280
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 C
Dimensioni e peso
Larghezza80,3 mm
Profondit15,2 mm
Altezza22,1 mm
Peso127 g
Altre caratteristiche
InternoSi
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